2024知到答案 电力电子技术（武汉科技大学） 最新智慧树满分章节测试答案
第一章 单元测试
1、单选题：
以下关于电力电子技术说法错误的是（ ）。
选项：
A:电力电子技术就是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术
B:电力电子技术变换的电力，可以小到毫瓦级
C:电子技术包括模拟电子技术和电力电子技术两大分支
D:电力电子技术是应用于电力领域的电子技术
答案: 【电子技术包括模拟电子技术和电力电子技术两大分支】
2、单选题：
以下不属于电力变换的是（ ）。
选项：
A:整流
B:变压器变压
C:逆变
D:变频
答案: 【变压器变压】
3、单选题：
以下不属于电力电子器件发展方向的是（ ）。
选项：
A:更大的通电流能力
B:耐受更高的电压值
C:不受控的自主通断能力
D:更高的开关频率
答案: 【不受控的自主通断能力】
4、单选题：
以下事件是标志着电力电子技术诞生的是（ ）。
选项：
A:1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管
B:1904年电子管的出现
C:1986年IGBT投入市场
D:1947年美国著名的贝尔实验室发明了晶体管
答案: 【1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管】
5、单选题：
以下关于电力电子电路特性说法错误的是（ ）。
选项：
A:在一个输出电压周期中令电力电子器件多次改变通断状态，可以降低谐波的频率
B:通常采用开关周期平均值和傅里叶级数，分析它的工作特性
C:在电路输出、输入端附加LC滤波器，可以改善输出电压和输入电流波形
D:开关电路输出端电压不可能是理想的、连续无脉动的直流，或无畸变的正弦基波交流
答案: 【在一个输出电压周期中令电力电子器件多次改变通断状态，可以降低谐波的频率】
6、多选题：
以下应用领域使用了电力电子技术的有（ ）。
选项：
A:柔性交流输电
B:无功补偿与谐波治理
C:核聚变反应堆使用脉冲电源
D:家用变频空调
答案: 【柔性交流输电;
无功补偿与谐波治理;
核聚变反应堆使用脉冲电源;
家用变频空调】
7、多选题：
以下关于电力电子电路特性说法正确的有（ ）。
选项：
A:串联电感对高频交流谐波呈现低阻抗，对直流和基波电流阻抗大
B:对于逆变电路，在输入端接入LC低通滤波器，可使输入接近平稳的直流
C:并联电容对髙频谐波呈现高阻抗，对直流和低频呈现低阻抗
D:对于逆变电路，若基波交流电压可损失较少地送至负载，负载端电压近似正弦波
答案: 【对于逆变电路，在输入端接入LC低通滤波器，可使输入接近平稳的直流;
对于逆变电路，若基波交流电压可损失较少地送至负载，负载端电压近似正弦波】
8、多选题：
以下是构成电力电子技术交叉特征的理论技术包括（ ）。
选项：
A:材料科学
B:电力技术
C:控制理论
D:电子技术
答案: 【电力技术;
控制理论;
电子技术】
9、判断题：
电力电子技术分为电力电子器件控制和电力变换两个分支。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】
10、判断题：
为了使电力变换电路基本特性简明清晰，通常忽略一些次要因素，采用一些近似方法进行分析和计算。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】
第二章 单元测试
1、单选题：
以下关于电力电子器件说法错误的是（ ）。
选项：
A:电力电子器件导通时阻抗很小，接近于短路
B:电力电子器件一般都工作在开关状态
C:电力电子器件阻断时阻抗很大，接近于断路
D:电力电子器件不需要信息电子电路进行控制
答案: 【电力电子器件不需要信息电子电路进行控制】
2、单选题：
以下关于电力电子器件损耗说法正确的是（ ）。
选项：
A:电力电子器件损耗由通态电流和通态管压降决定
B:电力电子器件功率损耗一般远大于信息电子器件
C:电力电子器件有散热设计，工作时不需加散热器
D:电力电子器件阻断时的损耗大于开通时的损耗
答案: 【电力电子器件功率损耗一般远大于信息电子器件】
3、单选题：
以下关于PN结工作原理说法正确的是（ ）。
选项：
A:外加反向电压时，外加电场与PN结自建电场方向相反
B:外加反向电压时，PN结表现为高阻态
C:外加正向电压时，多子的漂移运动大于少子的扩散运动
D:外加正向电压时，空间电荷区变宽
答案: 【外加反向电压时，PN结表现为高阻态】
4、多选题：
以下关于电力二极管特性说法正确的有（ ）。
选项：
A:当电力二极管承受正向电压大于零时，正向电流开始明显增加
B:电力二极管由正向偏置转换为反向偏置时会有反向电压过冲现象
C:电力二极管由零偏置转换为正向偏置时正向压降会出现一个过冲
D:电力二极管由正向偏置转换为反向偏置时并不能立即关断
答案: 【电力二极管由正向偏置转换为反向偏置时会有反向电压过冲现象;
电力二极管由零偏置转换为正向偏置时正向压降会出现一个过冲;
电力二极管由正向偏置转换为反向偏置时并不能立即关断】
5、多选题：
电力二极管PN结内的空间电荷区又被称为（ ）。
选项：
A:势垒区
B:电场区
C:阻挡层
D:耗尽层
答案: 【势垒区;
阻挡层;
耗尽层】
6、判断题：
当电力二极管用在频率较高场合时，分析其发热原因，开关损耗往往不能忽略。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】
7、单选题：
以下关于晶闸管引脚与内部结构说法错误的是（ ）。
选项：
A:阳极在PNPN四层结构中的P1区引出
B:阴极在PNPN四层结构中的N2区引出
C:门极在PNPN四层结构中的N1区引出
D:PNPN四层结构共形成了3个PN结
答案: 【门极在PNPN四层结构中的N1区引出】
8、单选题：
以下关于晶闸管门极作用说法错误的是（ ）。
选项：
A:当阳极电压上升率较高时，晶闸管不通过门极注入电流也可能导通
B:晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用
C:产生注入门极的触发电流的电路称为门极触发电路
D:为了保障触发稳定，注入的门极电流必须导通电流接近
答案: 【为了保障触发稳定，注入的门极电流必须导通电流接近】
9、多选题：
以下关于电力二极管动态特性说法正确的是（ ）。
选项：
A:关断时，反向阻断恢复结束后还有一个正向阻断恢复过程
B:关断时，阳极电流的衰减不是瞬时的
C:开通时，阳极电流的增长不是瞬时的
D:关断时，反向恢复电流会在晶闸管两端引起反向尖峰电压
答案: 【关断时，反向阻断恢复结束后还有一个正向阻断恢复过程;
关断时，阳极电流的衰减不是瞬时的;
开通时，阳极电流的增长不是瞬时的;
关断时，反向恢复电流会在晶闸管两端引起反向尖峰电压】
10、多选题：
以下关于电力二极管参数说法正确的是（ ）。
选项：
A:规定反向重复峰值电压为反向不重复峰值电压的90%
B:规定断态重复峰值电压为断态不重复峰值电压的90%
C:通常取晶闸管的断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的标值，作为该器件的额定电压
D:反向不重复峰值电压应高于反向击穿电压
答案: 【规定反向重复峰值电压为反向不重复峰值电压的90%;
规定断态重复峰值电压为断态不重复峰值电压的90%;
通常取晶闸管的断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的标值，作为该器件的额定电压】
11、判断题：
晶闸管开通时间等于阳极电流从10%上升到稳态值的90%所需的时间。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】
12、判断题：
晶闸管的擎住电流是指是指使晶闸管维持导通所必需的最小电流。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】
13、单选题：
以下关于电力MOSFET说法错误的是（ ）。
选项：
A:它开关速度快、工作频率高、热稳定性好
B:它是一种全控型器件
C:它是用栅极电压来控制漏极电流的，所需驱动功率小
D:它电流容量大，耐压高，多用于功率不超过10kW的电力电子装置
答案: 【它电流容量大，耐压高，多用于功率不超过10kW的电力电子装置】
14、单选题：
以下关于电力MOSFET导电沟道说法错误的是（ ）。
选项：
A:当栅极电压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的，称为耗尽型
B:对于N沟道器件，栅极电压等于零时才存在导电沟道的，称为增强型
C:可分为P沟道和N沟道
D:在电力MOSFET中，N沟道增强型器件较多
答案: 【对于N沟道器件，栅极电压等于零时才存在导电沟道的，称为增强型】
15、单选题：
以下关于IGBT说法错误的是（ ）。
选项：
A:IGBT工作在开关状态，是在正向阻断区和饱和区之间来回转换
B:IGBT开关速度高于电力MOSFET
C:IGBT内部可看作双极型晶体管与MOSFET组成的达林顿结构
D:IGBT与电力MOSFET一样，是一种场控器件
答案: 【IGBT开关速度高于电力MOSFET】
16、多选题：
以下关于电力MOSFET说法正确的是（ ）。
选项：
A:目前电力MOSFET大都采用了垂直导电结构
B:电力MOSFET驱动功率不随开关频率的变化而变化
C:电力MOSFET在导通时，只有一种极性的载流子参与导电
D:电力MOSFET在导通时，内部无法形成电导调制效应
答案: 【目前电力MOSFET大都采用了垂直导电结构;
电力MOSFET在导通时，只有一种极性的载流子参与导电】
17、多选题：
以下关于IGBT说法正确的是（ ）。
选项：
A:IGBT可看作是门极可关断器件和电力MOSFET的复合器件
B:相比于电力MOSFET，IGBT的耐高压能力更优
C:IGBT的输入阻抗高，输入特性与电力MOSFET类似
D:相比于电力MOSFET，IGBT的关断时间更短
答案: 【相比于电力MOSFET，IGBT的耐高压能力更优;
IGBT的输入阻抗高，输入特性与电力MOSFET类似】
18、判断题：
静电感应晶体管SIT在栅极不加任何信号时是导通的，栅极加负偏压时关断，常被称为正常导通型器件。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
19、判断题：
宽禁带半导体材料是指禁带宽度在2.0eV及以上的半导体材料。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
20、判断题：
IGBT模块是指将多个IGBT封装在一个模块中，达到缩小装置体积，降低成本，提高可靠性等目的。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】