第一章 单元测试

1、单选题:
交流电直接变换为直流电的电力变换称为( )。
选项:
A:逆变
B:整流
C:斩波
D:变频
答案: 【整流

2、多选题:
进入21世纪后,基于( )等新型半导体材料的电力电子器件逐渐开始应用。
选项:
A:晶体管
B:碳化硅
C:晶闸管
D:氮化镓
答案: 【碳化硅;
氮化镓

3、多选题:
电力电子技术是对电能进行( )的技术
选项:
A:控制
B:变换
C:变频
D:放大
答案: 【控制;
变换

4、判断题:
电力电子技术可应用于航空航天和交通运输领域。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

第二章 单元测试

1、单选题:
在电力电子电路中,直接承担电能的变换和控制任务的电路模块为( )。
选项:
A:检测电路
B:控制电路
C:保护电路
D:主电路
答案: 【主电路

2、单选题:
IGBT器件为( )电力电子器件。
选项:
A:不可控型
B:电流控型
C:半控型
D:全控型
答案: 【全控型

3、多选题:
电力电子器件一般工作于( )两个状态。
选项:
A:高阻态
B:超导态
C:通态
D:断态
答案: 【通态;
断态

4、多选题:
电力电子器件损耗通常有( ) 损耗。
选项:
A:断态
B:开关
C:通态
D:高阻
答案: 【断态;
开关;
通态

5、判断题:
电力电子器件只能用于处理高功率信号。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

6、单选题:
当电力二极管承受的反向电压过大时,二极管会被( )。
选项:
A:反向击穿
B:正向导通
C:截止
D:正向击穿
答案: 【反向击穿

7、单选题:
维持晶闸管导通的最小电流称为( )。
选项:
A:导通电流
B:维持电流
C:擎住电流
D:保持电流
答案: 【维持电流

8、多选题:
电力二极管的基本特性分为( )。
选项:
A:机械特性
B:静态特性
C:动态特性
D:功率特性
答案: 【静态特性;
动态特性

9、多选题:
晶闸管由断态切换到通态的条件是( )。
选项:
A:AK间承受反偏电压
B:AK引脚间承受正偏电压
C:G端有控制信号
D:GK间有正向电压
答案: 【AK引脚间承受正偏电压;
G端有控制信号

10、判断题:
晶闸管由断态切换到通态或由通态切换到断态需要一个时间过程,常用开通时间或关断时间来描述。( )
选项:
A:错
B:对
答案: 【

11、单选题:
电力晶体管由通态切换到断态的条件是( )。
选项:
A:基极B无驱动电流
B:CE间施加正偏电压
C:基极B有驱动电流
D:E有驱动电流
答案: 【基极B无驱动电流

12、单选题:
电力MOSFET是一种( )全控型器件。
选项:
A:电压驱动型
B:电流驱动型
C:功率驱动型
D:逻辑驱动型
答案: 【电压驱动型

13、多选题:
IGBT是结合了( )的优点。
选项:
A:GTO
B:MOSFET
C:GTR
D:二极管
答案: 【MOSFET;
GTR

14、多选题:
IGBT由断态切换到通达的条件是( )
选项:
A:CE引脚间施加正偏电压
B:GC引脚间施加正偏驱动电压
C:GE引脚间施加正偏驱动电压
D:CE引脚间施加反偏电压
答案: 【CE引脚间施加正偏电压;
GE引脚间施加正偏驱动电压

15、判断题:
电力MOSFET的GS引脚间的驱动电压不宜施加太大,否则会被击穿。( )
选项:
A:错
B:对
答案: 【

16、单选题:
静电感应晶闸管SITH可以看作是SIT与GTO复合而成又被称为( )。
选项:
A:场控晶闸管
B:双向晶闸管
C:光电晶闸管
D:声电晶闸管
答案: 【光电晶闸管

17、单选题:
集成门极换流晶闸管IGCT容量与普通GTO相当,但( )比普通的GTO快10倍。
选项:
A:导通电阻
B:开关速度
C:导通电压
D:导通电流
答案: 【开关速度

18、多选题:
宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0电子伏特左右及以上的半导体材料,典型的有( )。
选项:
A:金刚石变频
B:氮化镓(GaN)
C:硅
D:碳化硅(SiC)
答案: 【金刚石变频;
氮化镓(GaN);
碳化硅(SiC)

19、判断题:
功率集成电路的主要技术难点是高低压电路之间的绝缘问题以及温升和散热的处理。( )
选项:
A:错
B:对
答案: 【

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