2024知到答案 材料科学基础（西安科技大学） 最新智慧树满分章节测试答案
第一章 单元测试
1、判断题：
电磁力是原子间作用力的主要来源形式。
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
2、判断题：
均匀形核与非均匀形核的临界晶核尺寸是相等的。
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】
3、判断题：
晶体的空间点阵是无限多种，但晶体结构是有限的。
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】
4、判断题：
面心立方晶体结构与密排六方晶体结构的致密度和配位数均相等。
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】
5、多选题：
sigma键的特点是（）
选项：
A:成键原子的电子云以头碰头的方式
B:成键原子的电子云以肩并肩的方式
C:键能相对较强
D:键长相对较短
答案: 【成键原子的电子云以头碰头的方式;
键能相对较强;
键长相对较短】
6、多选题：
碳在γ－Fe一般存在于Fe的八面体间隙中，理论是可以溶解的碳的质量分数为（ ），实际中碳在Fe中的最大溶解度的质量分数为（ ）
选项：
A:50%
B:30%
C:17.6%
D:2.11%
答案: 【17.6%;
2.11%】
7、多选题：
与晶面族{123}等价的晶面包括以下哪些？
选项：
A:（321）
B:（132）
C:（312）
D:（123）
答案: 【（321）;
（132）;
（312）;
（123）】
8、单选题：
金属的塑性较好，从微观角度讲主要是因为（）
选项：
A:晶面之间容易发生滑移
B:金属原子易于运动
C:位错的形成和运动
D:金属键中的自由电子被所有原子共享
答案: 【金属键中的自由电子被所有原子共享】
9、单选题：
立方晶系中，晶胞中原子数最多的是哪一种点阵类型？( )
选项：
A:底心立方
B:简单立方
C:体心立方
D:面心立方
答案: 【面心立方】
第二章 单元测试
1、单选题：
晶体缺陷不包括（）
选项：
A:二维面缺陷
B:三维体缺陷
C:一维线缺陷
D:0维点缺陷
答案: 【三维体缺陷】
2、判断题：
位错是由晶体的两个原子面错排导致的。
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
3、判断题：
伯氏矢量可用来表征位错的方向。
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
4、判断题：
刃型位错的滑移面是由位错线与柏氏矢量所构成的平面，且是惟一的。
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
5、多选题：
关于位错的攀移的描述中正确的是（）：
选项：
A:攀移比滑移需要的能量高
B:攀移是位错滑移运动的结果
C:刃型位错存在攀移运动
D:螺型位错不会发生攀移
答案: 【攀移比滑移需要的能量高;
刃型位错存在攀移运动;
螺型位错不会发生攀移】
6、多选题：
位错的交割带来的影响有（）
选项：
A:影响位错进一步的运动
B:位错的交割又可细分为割阶与扭折
C:影响材料的强度等性能
D:两条位错线交割后，经常产生一段曲折线段
答案: 【影响位错进一步的运动;
位错的交割又可细分为割阶与扭折;
影响材料的强度等性能;
两条位错线交割后，经常产生一段曲折线段】
7、判断题：
研究位错的应变场应同时包括位错中心区和非中心区。
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
8、判断题：
位错的应变能总是与材料的弹性模量成正相关关系。
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
9、单选题：
关于位错的线张力的描述错误的是（）：
选项：
A:线张力与伯氏矢量的模的平方成正比
B:线张力与材料弹性模量成正比
C:线张力与弯曲半径r成反比
D:线张力与材料的泊松比成反比
答案: 【线张力与材料的泊松比成反比】
10、多选题：
柯氏气团的作用包括（）：
选项：
A:提高了位错的稳定性
B:降低了晶体的应变能
C:导致晶体的塑性变形能力（屈服强度）提高
D:使位错线运动变得困难
答案: 【提高了位错的稳定性;
降低了晶体的应变能;
导致晶体的塑性变形能力（屈服强度）提高;
使位错线运动变得困难】