第一章 单元测试

1、判断题:
跟数字集成电路设计一样,目前高性能模拟集成电路的设计已经能自动完成。
选项:
A:错
B:对
答案: 【

2、判断题:
模拟电路许多效应的建模和仿真仍然存在问题,模拟设计需要设计者利用经验和直觉来分析仿真结果
选项:
A:错
B:对
答案: 【

3、判断题:
模拟设计涉及到在速度、功耗、增益、精度、电源电压等多种因素间进行折衷
选项:
A:错
B:对
答案: 【

4、判断题:
CMOS电路已成为当今SOC设计的主流制造技术。
选项:
A:错
B:对
答案: 【

5、判断题:
MOSFET的特征尺寸越来越小,本征速度越来越快(已可与双极器件相比较),现在几GHz~几十GHz的CMOS模拟集成电路已经可批量生产。
选项:
A:对
B:错
答案: 【

6、判断题:
相对于数字电路来说,模拟集成电路的设计更加基础,更加灵活。
选项:
A:错
B:对
答案: 【

7、单选题:
片上系统,又称SOC,其英文全称是:
选项:
A:Systemon Chip
B:Systemofcomputer
C:System Operations Center
D:Separation of concerns
答案: 【Systemon Chip

8、单选题:
互补金属氧化物半导体,英文简称CMOS,其英文全称为:
选项:
A:CargoMachineOf Semiconductor
B:Complementary Metal OxideSystem
C:Complementary Machine Of Semiconductor
D:Complementary Metal Oxide Semiconductor
答案: 【Complementary Metal Oxide Semiconductor

9、单选题:
模拟数字转换器, 英文简称ADC, 英文全称为:
选项:
A:Ambulance to Digital Converter
B:Ambulance to Destination Converter
C:Analog-to- Destination Converter
D:Analog-to-Digital Converter
答案: 【Analog-to-Digital Converter

第二章 单元测试

1、判断题:
MOS器件的源端和漏端不可以共用,不可以互换。
选项:
A:对
B:错
答案: 【

2、判断题:
如果一个电路的最高电压是,最低电压是,那么NMOS器件的衬底应该接
选项:
A:对
B:错
答案: 【

3、判断题:
一般MOS器件的源漏是对称的,这告诉我们要根据实际集成电路的情况来判断电路的源极和漏极。
选项:
A:对
B:错
答案: 【

4、单选题:
下列关于MOS版图说法不正确的是()
选项:
A:源结和漏结的一个尺寸等于W,另外一个尺寸要满足接触孔的需要,并且要满足设计规则
B:栅极的接触孔应该开在沟道区外
C:版图中栅极的接触孔可以开在沟道区里
D:版图中沟道长度L的最小值由工艺决定
答案: 【版图中栅极的接触孔可以开在沟道区里

5、单选题:
下列关于阈值电压的说法,不正确的是()
选项:
A:在器件制造过程中,可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压
B:

,则 NMOS器件关断

C:

时,NMOS器件导通

D:

NFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅源电压

答案: 【

,则 NMOS器件关断

6、多选题:
下列关于NMOS器件的伏安特性说法正确的是()
选项:
A:

捕获73.JPG时,NMOS器件工作在截止区

B:

捕获73.JPG时,且捕获72.JPG时,NMOS器件工作在深线性区

C:

捕获71.JPG,并且捕获72.JPGNMOS器件工作在线性区

D:

捕获71.JPG捕获74.JPG时,NMOS器件工作在饱和区

答案: 【

捕获73.JPG时,NMOS器件工作在截止区

;

捕获71.JPG,并且捕获72.JPGNMOS器件工作在线性区

;

捕获71.JPG捕获74.JPG时,NMOS器件工作在饱和区

7、多选题:
下列对器件尺寸参数描述正确的有()
选项:
A:L是器件的沟道长度,W是器件的宽度
B:tox是器件栅氧化层的厚度,由工艺决定
C:一般所说的90nm工艺,其中的90nm是指器件的最小沟道长度L
D:一般所说的90nm工艺,其中的90nm是指器件的栅氧化层的厚度tox
答案: 【L是器件的沟道长度,W是器件的宽度;
tox是器件栅氧化层的厚度,由工艺决定;
一般所说的90nm工艺,其中的90nm是指器件的最小沟道长度L

8、多选题:
下列关于体效应的说法,正确的是()
选项:
A:

改变衬底电势可能会产生体效应。

B:

不改变衬底电势也可能会产生体效应。

C:

源电压相对于衬底电势发生改变,使得源衬电势差不为0,就会产生体效应。

D:体效应导致设计参数复杂,模拟集成电路设计往往不希望其存在,但也有利用体效应的电路。
答案: 【

改变衬底电势可能会产生体效应。

;

不改变衬底电势也可能会产生体效应。

;

源电压相对于衬底电势发生改变,使得源衬电势差不为0,就会产生体效应。

;

体效应导致设计参数复杂,模拟集成电路设计往往不希望其存在,但也有利用体效应的电路。

9、多选题:
下列关于亚阈值导电特性的说法正确的是()
选项:
A:

MOS管由0增大到大于阈值电压,经历截止---弱反型---强反型,这是一个渐进的过程,故当捕获75.jpg时,仍有存在

B:

时,漏极电流以有限速度下降,导致功率损耗或模拟信息的丢失

C:

MOS管亚阈值电流一般为几十~几百nA,常用于低功耗放大器、带隙基准设计

D:亚阈值区的跨导比饱和区(强反型区)跨导大,有利于实现大的放大倍数
答案: 【

MOS管由0增大到大于阈值电压,经历截止---弱反型---强反型,这是一个渐进的过程,故当捕获75.jpg时,仍有存在

;

时,漏极电流以有限速度下降,导致功率损耗或模拟信息的丢失

;

MOS管亚阈值电流一般为几十~几百nA,常用于低功耗放大器、带隙基准设计

;

亚阈值区的跨导比饱和区(强反型区)跨导大,有利于实现大的放大倍数

10、多选题:
下列关于MOS模型的说法正确的有()
选项:
A:MOS器件的高频小信号模型,除考虑跨导、体效应以及沟道调制效应等参数,还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响
B:MOS器件的低频小信号模型,主要考虑了跨导,体效应以及沟道调制效应等参数
C:当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时,可用小信号模型简化计算
D:MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式,各寄生电容计算式等推导建立
答案: 【MOS器件的高频小信号模型,除考虑跨导、体效应以及沟道调制效应等参数,还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响;
MOS器件的低频小信号模型,主要考虑了跨导,体效应以及沟道调制效应等参数;
当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时,可用小信号模型简化计算;
MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式,各寄生电容计算式等推导建立

发表评论

电子邮件地址不会被公开。 必填项已用*标注