绪论 单元测试

1、单选题：
关于集成电路（IC）的定义，以下表述最准确的是（ ）。
选项：
A:由金属导线连接多个独立封装的芯片组成的系统
B:将大量的晶体管、电阻、电容等电子元件集成制作在一小块半导体晶圆上的电路
C:将多个电阻、电容等分立元件焊接在同一块电路板上
D:一种专门用于放大电信号的单一晶体管器件
答案: 【将大量的晶体管、电阻、电容等电子元件集成制作在一小块半导体晶圆上的电路】

2、多选题：
集成电路的发明带来的重要意义是（ ）。
选项：
A:显著提高了电路的性能和可靠性
B:使得电子设备耗电量急剧增加
C:直接导致了个人电脑、智能手机等现代电子产品的出现
D:极大地降低了电子元件的成本和体积
答案: 【显著提高了电路的性能和可靠性;
直接导致了个人电脑、智能手机等现代电子产品的出现;
极大地降低了电子元件的成本和体积】

3、单选题：
目前制造集成电路芯片最主要的半导体材料是（ ）。
选项：
A:硅 (Si)
B:砷化镓 (GaAs)
C:石墨烯
D:锗 (Ge)
答案: 【硅 (Si)】

4、多选题：
关于非晶、多晶和单晶半导体材料，以下描述正确的是（ ）。
选项：
A:多晶硅由许多大小不一的晶粒组成，晶粒间存在晶界
B:非晶硅的原子排列完全无序，没有晶界
C:单晶硅具有长程有序的原子排列
D:多晶硅的电学性能优于单晶硅
答案: 【多晶硅由许多大小不一的晶粒组成，晶粒间存在晶界;
非晶硅的原子排列完全无序，没有晶界;
单晶硅具有长程有序的原子排列】

5、判断题：
晶圆（Wafer）是制造集成电路的基底，通常由高纯度的单晶硅柱切片抛光而成。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】

第一章 单元测试

1、单选题：
金刚石型晶胞是立方对称的，它是由两个面心立方晶胞沿空间对角线互相位移了（ ）的空间对角线长度套构而成。
选项：
A:1/8
B:1/6
C:1/4
D:1/2
答案: 【1/4】

2、多选题：
绝缘体和半导体的主要区别是（ ）。
选项：
A:禁带宽度大
B:导电性差
C:激发电子需要能量高
D:通常温度下能激发到导带的电子少
答案: 【禁带宽度大;
导电性差;
激发电子需要能量高;
通常温度下能激发到导带的电子少】

3、判断题：
虽然内外壳层的交叠程度不同，但所有壳层的电子都会表现出显著的共有化运动。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】

4、单选题：
半导体砷化镓的晶格结构是（ ）。
选项：
A:金刚石型
B:氯化钠型
C:纤锌矿型
D:闪锌矿型
答案: 【闪锌矿型】

5、多选题：
下列关于III-V族化合物能带结构描述正确的是（ ）。
选项：
A:III-V族化合物价带的极大值并恰好在布里渊区的中心
B:III-V族化合物的第一布里渊区是截角八面体的形式
C:III-V族化合物的价带在布里渊区中心是简并的
D:作为典型的III-V族化合物半导体，锑化铟在极小值附近的等能面是球形的
答案: 【III-V族化合物价带的极大值并恰好在布里渊区的中心;
III-V族化合物的第一布里渊区是截角八面体的形式;
III-V族化合物的价带在布里渊区中心是简并的】

第二章 单元测试

1、多选题：
下列关于Ⅲ、Ⅴ族杂质在Si晶体中状态的描述正确的是（ ）。
选项：
A:杂质处于中性态和离化态这两种状态
B:受主能级比价带顶高ΔEA，施主能级比导带底低ΔED，均为浅能级
C:当处于离化态时，施主杂质向导带提供电子成为正电中心
D:III、V族杂质分别为受主和施主杂质，它们在禁带中引入了能级
答案: 【杂质处于中性态和离化态这两种状态;
受主能级比价带顶高ΔEA，施主能级比导带底低ΔED，均为浅能级;
当处于离化态时，施主杂质向导带提供电子成为正电中心;
III、V族杂质分别为受主和施主杂质，它们在禁带中引入了能级】

2、单选题：
非III、V族杂质在在硅、锗禁带中引入的能级类型（ ）。
选项：
A:是深能级，产生相应的深能级杂质
B:施主能级距离价带顶较远
C:既不是施主能级也不是受主能级
D:受主能级距离导带底较远
答案: 【是深能级，产生相应的深能级杂质】

3、判断题：
间隙原子和空位是由温度决定的点缺陷，它们总是同时存在的。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】

4、多选题：
关于III-V化合物GaAs中缺陷类型的描述正确的是（ ）。
选项：
A:镓偏多或砷偏多，也能形成砷空位或镓空位
B:热振动可以使镓原子离开晶格点形成镓空位和镓间隙原子
C:热振动使砷原子离开晶格点形成砷空位和砷间隙原子
D:实验和理论证明砷化镓中的缺陷是施主作用
答案: 【镓偏多或砷偏多，也能形成砷空位或镓空位;
热振动可以使镓原子离开晶格点形成镓空位和镓间隙原子;
热振动使砷原子离开晶格点形成砷空位和砷间隙原子;
实验和理论证明砷化镓中的缺陷是施主作用】

5、单选题：
I族元素Ag，Au成为替位式杂质进入GaAs后是（ ）。
选项：
A:引入受主能级，起受主作用，一般是比较深的
B:引入受主能级，起受主作用，一般是比较浅的
C:既不缺少价电子，也不多余价电子，称为等电子杂质
D:表现为施主杂质，引入施主能级
答案: 【引入受主能级，起受主作用，一般是比较深的】

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