2024知到答案电力电子技术（哈尔滨工程大学）最新智慧树满分章节测试答案

第一章单元测试

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1、判断题：
以第一只晶闸管的出现作为电力电子技术诞生的标志。
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】

2、判断题：
从公共电网直接得到的电能是交流的，我们不需要进行电力变换就可以直接使用。
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】

3、判断题：
整流变换是由直流电能变换成固定和可调的交流电能的变换过程。
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】

4、判断题：
逆变变换是由直流电能变换成固定和可调的交流电能的变换过程。
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】

5、判断题：
斩波变换把幅值固定或变化的直流电变换成可调或恒定直流电。
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】

1、判断题：
按载流子(电子和空穴)参与导电的情况分单极型、双极型、混合型三种。
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】

2、判断题：
能用控制信号控制开通，但不能控制关断的功率半导体器件，称为半控型器件。
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】

3、判断题：
使晶闸管维持导通所必需的最小电流称作维持电流。
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】

4、单选题：
可关断晶闸管(GTO)是一种( )结构的半导体器件。
选项：
A:三层二结
B:四层三结
C:三层三结
D:五层三结
答案: 【四层三结】

5、判断题：
电力MOSFET内部寄生了一个反向二极管，所以不能承受反向电压。（）
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】

6、单选题：
下面哪种器件属于电压驱动型( )
选项：
A:igbt
B:gtr
C:scr
D:gto
答案: 【igbt】

7、判断题：
擎住效应是由于IGBT中寄生的二极管造成的。
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】

8、单选题：
当GTR的集电极电压升高至击穿电压时，集电极电流IC迅速增大，这种首先出现的击穿是雪崩击穿，称为
选项：
A:临界饱和
B:反向击穿
C:一次击穿
D:二次击穿
答案: 【一次击穿】

9、单选题：
下面属于外因过电压的是
选项：
A:电力二极管关断过电压
B:IGBT关断过电压
C:雷击过电压
D:晶闸管反向阻断恢复过电压
答案: 【雷击过电压】

10、判断题：
晶闸管串联工作时为了防止静态不均压，可采用并联均压电阻的办法。
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】