2025知到答案现代半导体器件及先进制造最新智慧树满分章节测试答案

第一章单元测试

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1、单选题：
本征硅的费米能级位于：（）
选项：
A:略偏向

D:略偏向

答案: 【略偏向
】

2、单选题：
硼掺杂的硅中，下列说法正确的是：（）
选项：
A:与磷掺杂硅的导电类型一致
B:硅的晶体结构将发生改变
C:空穴浓度大于电子浓度
D:电子浓度大于空穴浓度
答案: 【空穴浓度大于电子浓度】

3、多选题：
抑制离子注入工艺中沟道效应的方法有（）。
选项：
A:降低离子注入能量
B:升高衬底温度
C:衬底表面沉积非晶薄膜
D:倾斜衬底
答案: 【升高衬底温度;
衬底表面沉积非晶薄膜;
倾斜衬底】

4、多选题：
制造单晶硅衬底的方法包括（）。
选项：
A:氧化还原法
B:外延生长法
C:区域熔融法
D:直拉法
答案: 【区域熔融法;
直拉法】

5、判断题：
当硅中掺杂浓度越小时，费米能级越靠近Ei。（）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】

1、多选题：
对于长沟道MOSFET器件，发生夹断后，下面说法中正确的是（）。
选项：
A:Vg≥Vd+Vth
B:Vg继续增加，Id不会继续增大
C:沟道中漏极一侧的电位为0
D:

答案: 【Vg≥Vd+Vth;
Vg继续增加，Id不会继续增大;
沟道中漏极一侧的电位为0】

2、多选题：
沟道长度缩短有可能对MOSFET器件产生哪些影响（）。
选项：
A:器件的漏极电流增大
B:器件的可靠性劣化
C:阈值电压增大
D:器件的集成度增加
答案: 【器件的漏极电流增大;
器件的可靠性劣化;
器件的集成度增加】

3、单选题：
有关MOSFET器件亚阈值摆幅（S）的说法错误的是（）
选项：
A:

C:亚阈值摆幅的单位是mV
D:温度升高，亚阈值摆幅增大
答案: 【亚阈值摆幅的单位是mV】

4、单选题：
有关MOSFET器件特征长度的说法正确的是（）
选项：
A:仅与器件的结构参数有关
B:与器件的沟道长度呈正比
C:栅氧化层介电常数越厚，特征长度越小
D:沟道长度相等的器件，特征长度越小，DIBL越小
答案: 【沟道长度相等的器件，特征长度越小，DIBL越小】

5、判断题：
MOSFET器件的阈值电压实际上是栅极MOS电容强反型区的起点。（）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】